Professional overhaul of DC/DC Enable logic and heading structure

- Replaced Wake-up-Logic with comprehensive DC/DC-Enable-Logik description - Converted all bold titles (**Title:**) to proper markdown headings (##### Title:) - Added detailed technical description of Soft-Latch system functionality - Documented multi-input OR-gate logic for various wake-up sources - Explained self-latching mechanism and shutdown logic - Added component function descriptions for complete understanding - Improved document structure for better TOC generation
2025-10-19 09:02:17 +02:00
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@@ -162,8 +162,8 @@ Die Schutzschaltung überwacht und schützt vor:
 | Innenwiderstand | R_SS(on) | typ. 13,5 mΩ |
 | Thermischer Widerstand | θ_JC | 100 K/W |

-**Thermische Auslegung:**
-Bei maximaler Strombelastung (3 A) beträgt die Verlustleistung:
+##### Thermische Auslegung:
+Bei einem Dauerstrom von 2 A über den Schutz-MOSFET ergibt sich:
 $$P_{loss} = R_{SS(on)} \cdot I^2 = 20\text{ mΩ} \cdot (3\text{ A})^2 = 180\text{ mW}$$

 Dies führt zu einer Temperaturerhöhung von:
@@ -179,7 +179,7 @@ Die Fuel Gauge überwacht kontinuierlich:
 - Verbleibende Kapazität
 - Gesundheitszustand (State of Health, SOH)

-**Temperaturerfassung:**
+##### Temperaturerfassung:
 - **Betriebsmodus:** Temperaturwerte vom Lader-IC über I²C
 - **Ruhemodus:** Interner Temperatursensor der Fuel Gauge
 - **Übergangsstrategie:** Gesteuerte Umschaltung durch RTC-Wake-up
@@ -301,35 +301,39 @@ graph LR

 Der TPS63020 wurde aufgrund der variablen Li-Ion-Akkuspannung (3,0 V - 4,2 V) als Buck-Boost-Wandler ausgewählt.

-**Technische Vorteile:**
+##### Technische Vorteile:
 - Sehr hohe Effizienz über den gesamten Eingangsspannungsbereich
 - Integrierte Power-MOSFETs (kein externes Switching erforderlich)
 - Hohe Schaltfrequenz → kompakte Induktivitäten möglich
 - Ultra-low Shutdown-Strom bei Deaktivierung

-**Wake-up-Logik:**
-Der Wandler wird über ein Wired-OR-Gatter aus mehreren Quellen aktiviert:
+##### DC/DC-Enable-Logik (Soft-Latch-System)
+![DC/DC Enable Logik](img/power_dcdc_enable.svg)

-```mermaid
-graph TD
-    BUTTON[Einschalttaster] --> DIODE1[Diode]
-    RTC[RTC-Wake-up] --> DIODE2[Diode]
-    CHARGER[Lader-Wake-up] --> DIODE3[Diode]
-    
-    DIODE1 --> OR[Wired-OR]
-    DIODE2 --> OR
-    DIODE3 --> OR
-    
-    OR --> NMOS[N-MOSFET<br/>Inverter]
-    
-    MCU[Mikrocontroller] --> LATCH[Self-Latching]
-    
-    NMOS --> DIODE4[Diode]
-    LATCH --> DIODE5[Diode]
-    
-    DIODE4 --> ENABLE[TPS63020<br/>Enable-Eingang]
-    DIODE5 --> ENABLE
-```
+###### Übersicht
+Die Schaltung realisiert eine intelligente "Soft-Latch"-Funktion zur Ansteuerung des Haupt-DC/DC-Wandlers. Sie ermöglicht das Ein- und Ausschalten durch verschiedene Signalquellen sowie einen dedizierten Software-Befehl bei minimalstem Ruhestrom.
+
+###### Funktionsbeschreibung
+Die zentrale Steuerleitung **DC/DC Enable** wird durch Pull-Down-Widerstand R6 (1,8MΩ) im Ruhezustand auf LOW gehalten. Ein HIGH-Pegel aktiviert den DC/DC-Wandler.
+
+**Einschaltvorgang:**
+Mehrere diodenentkoppelte Signalquellen können das System aktivieren:
+- **Active-Low-Quellen:** Button, RTC, Fuel Gauge (über D1-D3 direkt zu Q2-Gate)
+- **Active-High-Quellen:** VBUS USB, VDEBUG (über D4/D5 → Q1 → Q2-Gate-Inverter)
+
+**Selbsthaltung (Latching):**
+Sobald 3V3 DC/DC stabil ist, wird diese über R5 und D6 auf die Enable-Leitung zurückgeführt. Die Diode D6 verhindert Rückfluss von VRTC zur 3,3V-Schiene.
+
+**Ausschaltvorgang:**
+Ein HIGH-Signal am GPIO OFF schaltet Q3 durch, der die Enable-Leitung aktiv auf GND zieht und die Selbsthaltung überstimmt.
+
+###### Schlüsselkomponenten
+- **Multi-Input-OR-Gatter:** Dioden D1-D5 + Transistoren Q1/Q2
+- **Ausschalt-Schalter:** Q3 für zuverlässige Enable-Beendigung
+- **Stützkondensator C3:** Stabilisiert Enable-Leitung, überbrückt kurze Spannungseinbrüche
+- **Entprell-Kondensator C2:** RC-Tiefpassfilter für sauberes Taster-Signal
+- **Shutdown-Filter C1/R1/R2:** Schutz vor versehentlichem Ausschalten durch Störimpulse
+- **Schutzwiderstand R3:** Strombegrenzung bei gleichzeitigen Ein-/Ausschaltbefehlen

 #### SD-Karten-Schalter
 **Implementation:** P-Kanal-MOSFET (Load Switch)  
@@ -343,7 +347,7 @@ SD-Karten können auch im Idle-Zustand signifikanten Stromverbrauch aufweisen. D
 **Baustein:** XC6206P332MR-G (Torex)  
 **Funktion:** RTC- und VBAT-Versorgung bei deaktiviertem DC/DC-Wandler

-**Schlüsselparameter:**
+##### Schlüsselparameter:
 - Eigenverbrauch: 1 μA (typisch)
 - Dropout-Spannung: 160 mV @ 100 mA
 - Ausgangsspannung: 3,3 V ±2%
@@ -460,51 +464,65 @@ Für allgemeine P-Kanal-MOSFET-Anwendungen (analoge Ergänzung zum AO3400A) wird
 **Alternative:** Jeder andere Logic-Level-P-Kanal-MOSFET kann verwendet werden.

 #### Hochstrom-Anwendungen
-**Baustein:** AON5820 (siehe Eingangs-MOSFETs)  
-**Anwendungen:** VRTC-Multiplexer, SD-Kartenversorgung
+**Baustein:** AON5820 für BQ25672-Schalter, AO3401A für SD/VRTC-Schalter
+**Anwendungen:** Bidirektionale Schalter (BQ25672), VRTC-Schalter, SD-Kartenversorgung

-Durch die Verwendung des Dual-N-Kanal-MOSFETs AON5820 in verschiedenen Schaltungsteilen wird die Bauteilvielfalt reduziert und die Lagerhaltung vereinfacht.
+##### MOSFET-Verteilung nach Anwendung:
+- **AON5820 (N-Channel):** Bidirektionale Schalter im BQ25672 (Ladungspumpe verfügbar)
+- **AO3401A (P-Channel):** SD-Karten- und VRTC-Schalter (nur 3,3V-Logik verfügbar)

-**Anwendung im VRTC-Multiplexer:**
-Die Back-to-Back-Konfiguration eignet sich ideal für bidirektionale Schalter, bei denen Stromfluss in beide Richtungen verhindert werden muss.
+Diese differenzierte Auswahl optimiert sowohl die elektrischen Eigenschaften als auch die Ansteuerungskompatibilität.

-**Thermische Auslegung (VRTC-Multiplexer bei 2 mA):**
+##### Anwendung im VRTC-Schalter:
+Der VRTC-Pfad erfordert nur unidirektionalen Schutz (DC/DC → VRTC), daher genügt ein einzelner P-Channel MOSFET:
+- **Konfiguration:** Source an 3,3V (DC/DC), Drain an VRTC
+- **Logik:** Gate LOW → VRTC aktiv, Gate HIGH → VRTC getrennt
+- **Vorteil:** Bei Ausfall bleibt VRTC isoliert vom DC/DC-Converter
+
+##### Thermische Auslegung (VRTC-Schalter bei 2 mA):
 Bei den geringen Strömen im VRTC-Pfad ist die Verlustleistung vernachlässigbar:
-$$P_{loss} = I^2 \times R_{DS(on)} = (2\text{ mA})^2 \times 30,4\text{ mΩ} ≈ 0,12\text{ μW}$$
+$$P_{loss} = I^2 \times R_{DS(on)} = (2\text{ mA})^2 \times 50\text{ mΩ} ≈ 0,2\text{ μW}$$

-**Anwendung bei SD-Kartenversorgung:**
-Für die SD-Kartenversorgung wird der AON5820 als P-Kanal-Load-Switch konfiguriert (ein MOSFET des Dual-Pakets).
+##### Anwendung bei SD-Kartenversorgung:
+Für die SD-Kartenversorgung wird der **AO3401A** (P-Channel) verwendet, da nur 3,3V Gate-Spannung verfügbar ist.

-*Thermische Auslegung (SD-Karte bei Schreibvorgängen):*
+##### MOSFET-Auswahl für 3,3V-Logik:
+- **Problem mit N-Channel (AON5820):** VGS = 3,3V reicht nicht für vollständiges Durchschalten
+- **Lösung P-Channel (AO3401A):** VGS = 0V → EIN, VGS = 3,3V → AUS
+- **RDS(on) bei VGS = -3,3V:** 50 mΩ typ. (deutlich besser als N-Channel bei unzureichender VGS)
+
+##### Thermische Auslegung (SD-Karte bei Schreibvorgängen):
 - Maximaler Schreibstrom: 100 mA (kurzzeitig)
- Verlustleistung: $P_{loss} = I^2 \times R_{DS(on)} = (100\text{ mA})^2 \times 15,2\text{ mΩ} = 152\text{ μW}$
- Temperaturerhöhung: $\Delta T = 152\text{ μW} \times 75\text{ K/W} ≈ 0,01\text{ K}$
+- Verlustleistung: $P_{loss} = I^2 \times R_{DS(on)} = (100\text{ mA})^2 \times 50\text{ mΩ} = 500\text{ μW}$
+- Temperaturerhöhung: $\Delta T = 500\text{ μW} \times 250\text{ K/W} = 0,125\text{ K}$
+- **Spannungsabfall:** $V_{drop} = I \times R_{DS(on)} = 100\text{ mA} \times 50\text{ mΩ} = 5\text{ mV}$

-*Soft-Start-Auslegung mittels RC-Gatebeschaltung:*
+##### Soft-Start-Auslegung mittels RC-Gatebeschaltung:
 Die SD-Karte ist mit 10 μF + 100 nF gepuffert. Um Einschaltströme zu begrenzen, wird eine RC-Schaltung am Gate implementiert:

-**Auslegungskriterien:**
+###### Auslegungskriterien:
 - Kondensatorladung: $Q = C \times V = 10,1\text{ μF} \times 3,3\text{ V} = 33,3\text{ μC}$
 - Zulässiger Ladestrom: $I_{max} = 100\text{ mA}$ (thermisch unkritisch)
 - Mindest-Anstiegszeit: $t_{rise,min} = \frac{Q}{I_{max}} = \frac{33,3\text{ μC}}{100\text{ mA}} = 333\text{ μs}$

-**RC-Dimensionierung:**
- Gate-Kapazität des AON5820: $C_{gate} ≈ 1\text{ nF}$
+###### RC-Dimensionierung:
+- Gate-Kapazität des AO3401A: $C_{gate} ≈ 350\text{ pF}$
 - Mindest-Gate-Zeitkonstante: $\tau_{gate,min} = \frac{t_{rise,min}}{3} ≈ 100\text{ μs}$
 - **Auslegungsformel:** $R_{min} = \frac{\tau_{gate,min}}{C_{gewählt}}$

-**Praktische Beispiele:**
+###### Praktische Beispiele:
 - Mit C = 100 nF: $R_{min} = \frac{100\text{ μs}}{100\text{ nF}} = 1\text{ kΩ}$
 - Mit C = 10 nF: $R_{min} = \frac{100\text{ μs}}{10\text{ nF}} = 10\text{ kΩ}$
 - Mit C = 1 nF: $R_{min} = \frac{100\text{ μs}}{1\text{ nF}} = 100\text{ kΩ}$

-**Empfohlene Beschaltung:** 
+###### Empfohlene Beschaltung:
 - **Mindestempfehlung:** R = 1 kΩ, C = 100 nF (schnell und verfügbar)
 - **Konservativ:** R = 10 kΩ, C = 10 nF (langsamere Flanken)

-**Bewertung 1 kΩ/100 nF:**
+###### Bewertung 1 kΩ/100 nF:
 - Anstiegszeit: ≈ 300 μs (3 × τ = 3 × 100 μs)
 - Ladestrom bleibt unter 100 mA
+- Spannungsabfall nur 5 mV → vernachlässigbar
 - Schnelle SD-Karten-Verfügbarkeit für zeitkritische Anwendungen

 Alle Anwendungsfälle liegen deutlich innerhalb der Spezifikationsgrenzen.