Added datasheet
This commit is contained in:
@@ -14,7 +14,7 @@ Dieses Dokument beschreibt das Design eines hocheffizienten, synchronen DC/DC-Ab
|
|||||||
|
|
||||||
## 2. Auslegung der Bauteile
|
## 2. Auslegung der Bauteile
|
||||||
|
|
||||||
Die Berechnung der externen Komponenten basiert auf dem Datenblatt des SY8120IABC.
|
Die Berechnung der externen Komponenten basiert auf dem [Datenblatt des SY8120IABC](doc/SY8120I.pdf).
|
||||||
|
|
||||||
### a) Feedback-Widerstände (R1, R2) - Optimiert für "Basic Parts"
|
### a) Feedback-Widerstände (R1, R2) - Optimiert für "Basic Parts"
|
||||||
|
|
||||||
@@ -147,4 +147,4 @@ Die Berechnung basiert auf den typischen Werten aus dem SY8120IABC-Datenblatt un
|
|||||||
| **300 mA** | **~ 95.1%** |
|
| **300 mA** | **~ 95.1%** |
|
||||||
| **500 mA** | **~ 94.4%** |
|
| **500 mA** | **~ 94.4%** |
|
||||||
|
|
||||||
Der Wirkungsgrad des synchronen Designs ist durchgehend exzellent und übertrifft den eines vergleichbaren nicht-synchronen Wandlers deutlich. Der Hauptgrund sind die massiv geringeren Leitverluste, da anstelle einer Diode mit hohem Spannungsabfall ein MOSFET mit niedrigem $R_{DS(on)}$ als Freilaufelement dient.
|
Der Wirkungsgrad des synchronen Designs ist durchgehend exzellent und übertrifft den eines vergleichbaren nicht-synchronen Wandlers deutlich. Der Hauptgrund sind die massiv geringeren Leitverluste, da anstelle einer Diode mit hohem Spannungsabfall ein MOSFET mit niedrigem $R_{DS(on)}$ als Freilaufelement dient.
|
||||||
|
|||||||
130952
SY8129IABC_3V3_Converter/doc/SY8120I.pdf
Normal file
130952
SY8129IABC_3V3_Converter/doc/SY8120I.pdf
Normal file
File diff suppressed because one or more lines are too long
Reference in New Issue
Block a user